AM9926N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM9926N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM9926N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9926N даташит

 ..1. Size:327K  analog power
 am9926n.pdf pdf_icon

AM9926N

Analog Power AM9926N N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 30 @ VGS = 4.5V 6.9 Low thermal impedance 20 40 @ VGS = 2.5V 6.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:641K  ait semi
 am9926.pdf pdf_icon

AM9926N

AiT Semiconductor Inc. AM9926 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM9926 uses advanced trench technology and V =20V, I =6A DS D design to provide excellent R with low gate R

Другие IGBT... AM90P20-170B, AM9410N, AM9412N, AM9433P, AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, IRFZ24N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20