AM9945NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM9945NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de AM9945NE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM9945NE datasheet

 ..1. Size:196K  analog power
 am9945ne.pdf pdf_icon

AM9945NE

Analog Power AM9945NE N-Channel 60-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 89 @ VGS = 10V 4.0 60 battery-powered products suc

 7.1. Size:323K  analog power
 am9945n.pdf pdf_icon

AM9945NE

Analog Power AM9945N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 89 @ VGS = 10V 3.6 Low thermal impedance 60 104 @ VGS = 4.5V 3.4 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... AM9412N, AM9433P, AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, 8N60, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300