AM9945NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM9945NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для AM9945NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9945NE даташит

 ..1. Size:196K  analog power
 am9945ne.pdf pdf_icon

AM9945NE

Analog Power AM9945NE N-Channel 60-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 89 @ VGS = 10V 4.0 60 battery-powered products suc

 7.1. Size:323K  analog power
 am9945n.pdf pdf_icon

AM9945NE

Analog Power AM9945N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 89 @ VGS = 10V 3.6 Low thermal impedance 60 104 @ VGS = 4.5V 3.4 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... AM9412N, AM9433P, AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, 8N60, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300