AM9N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM9N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM9N65P

AM9N65P Datasheet (PDF)

..1. Size:286K analog power
am9n65p.pdf

Analog Power AM9N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1.7 @ VGS = 10V Low thermal impedance 6509a1.8 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: Off-line Power Supplies Electronic Ballasts DRAIN connected High Power LED Lighting to TAB ABSOLUTE

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Liste

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