AM9N65P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM9N65P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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AM9N65P datasheet

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AM9N65P

Analog Power AM9N65P N-Channel 650-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1.7 @ VGS = 10V Low thermal impedance 650 9a 1.8 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications Off-line Power Supplies Electronic Ballasts DRAIN connected High Power LED Lighting to TAB ABSOLUTE

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