AM9N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM9N65P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 13.8 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 123 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM9N65P
AM9N65P Datasheet (PDF)
am9n65p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Analog Power AM9N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1.7 @ VGS = 10V Low thermal impedance 6509a1.8 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: Off-line Power Supplies Electronic Ballasts DRAIN connected High Power LED Lighting to TAB ABSOLUTE
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .