AM9N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM9N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для AM9N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9N65P даташит

 ..1. Size:286K  analog power
 am9n65p.pdf pdf_icon

AM9N65P

Analog Power AM9N65P N-Channel 650-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1.7 @ VGS = 10V Low thermal impedance 650 9a 1.8 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications Off-line Power Supplies Electronic Ballasts DRAIN connected High Power LED Lighting to TAB ABSOLUTE

Другие IGBT... AM9433P, AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, AM9945NE, P60NF06, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300, STN2300A