Справочник MOSFET. AM9N65P

 

AM9N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM9N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для AM9N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  analog power
 am9n65p.pdf pdf_icon

AM9N65P

Analog Power AM9N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1.7 @ VGS = 10V Low thermal impedance 6509a1.8 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: Off-line Power Supplies Electronic Ballasts DRAIN connected High Power LED Lighting to TAB ABSOLUTE

Другие MOSFET... AM9433P , AM9435 , AM9435P , AM9569D , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AO3401 , STN1012 , STN1304 , STN1810 , STN18D20 , STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A .

History: AFN2302S | AFP3459 | STC6602 | AP6C036M | RJK6013DPE | KRF7104 | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.