STN1012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN1012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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STN1012 datasheet

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STN1012

STN1012 STN1012 STN1012 STN1012 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 0.65A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN1012 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

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