STN1012 Todos los transistores

 

STN1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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STN1012 Datasheet (PDF)

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STN1012

STN1012STN1012STN1012STN1012Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET0.65ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN1012 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors areproduced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance.

Otros transistores... AM9435 , AM9435P , AM9569D , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , IRF520 , STN1304 , STN1810 , STN18D20 , STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A , STN2302 .

 

 
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