Справочник MOSFET. STN1012

 

STN1012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для STN1012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  stansontech
 stn1012.pdf pdf_icon

STN1012

STN1012STN1012STN1012STN1012Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET0.65ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN1012 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors areproduced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance.

Другие MOSFET... AM9435 , AM9435P , AM9569D , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , IRF520 , STN1304 , STN1810 , STN18D20 , STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A , STN2302 .

History: SI7866ADP | CM8N60 | MMP9567 | SSM3K36TU | HAT2192WP | RJK0631JPD | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.