STN1012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN1012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для STN1012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1012 даташит

 ..1. Size:276K  stansontech
 stn1012.pdf pdf_icon

STN1012

STN1012 STN1012 STN1012 STN1012 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 0.65A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN1012 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

Другие IGBT... AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, 75N75, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300, STN2300A, STN2302