STN1304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN1304

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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STN1304 datasheet

 ..1. Size:233K  stansontech
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STN1304

STN1304 N Channel Enhancement Mode MOSFET 2.0A DESCRIPTION STN1304 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and noteb

 9.1. Size:436K  st
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STN1304

2STD1360, 2STF1360, 2STN1360 Low voltage fast-switching NPN power transistors Datasheet - production data Features 4 Very low collector-emitter saturation voltage 4 High current gain characteristic 3 3 2 2 Fast-switching speed 1 1 SOT-223 SOT-89 Applications TAB Emergency lighting LED 3 Voltage regulation 1 Relay drive TO-252 (DPAK) Descripti

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