STN1304 Todos los transistores

 

STN1304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1304
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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STN1304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  stansontech
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STN1304

STN1304 N Channel Enhancement Mode MOSFET 2.0A DESCRIPTION STN1304 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and noteb

 9.1. Size:436K  st
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STN1304

2STD1360, 2STF1360, 2STN1360Low voltage fast-switching NPN power transistorsDatasheet - production dataFeatures4 Very low collector-emitter saturation voltage4 High current gain characteristic 3322 Fast-switching speed 11 SOT-223 SOT-89ApplicationsTAB Emergency lighting LED3 Voltage regulation1 Relay drive TO-252 (DPAK)Descripti

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History: ME4410AD | HTN030N03 | FQD16N15TM | AFN4822WS | AM20P02-99D | KRLML0100 | SL5N100

 

 
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