STN1304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN1304

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для STN1304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1304 даташит

 ..1. Size:233K  stansontech
 stn1304.pdf pdf_icon

STN1304

STN1304 N Channel Enhancement Mode MOSFET 2.0A DESCRIPTION STN1304 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and noteb

 9.1. Size:436K  st
 2std1360 2stf1360 2stn1360.pdf pdf_icon

STN1304

2STD1360, 2STF1360, 2STN1360 Low voltage fast-switching NPN power transistors Datasheet - production data Features 4 Very low collector-emitter saturation voltage 4 High current gain characteristic 3 3 2 2 Fast-switching speed 1 1 SOT-223 SOT-89 Applications TAB Emergency lighting LED 3 Voltage regulation 1 Relay drive TO-252 (DPAK) Descripti

Другие IGBT... AM9435P, AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, AO3400A, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300, STN2300A, STN2302, STN2306