STN1810 Todos los transistores

 

STN1810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de STN1810 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STN1810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  stansontech
 stn1810.pdf pdf_icon

STN1810

STN1810 N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A DESCRIPTION STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These applications such as notebook computer power

 9.1. Size:310K  stansontech
 stn18d20.pdf pdf_icon

STN1810

STN18D20 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION STN18D20 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management

Otros transistores... AM9569D , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , STN1012 , STN1304 , IRF730 , STN18D20 , STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A , STN2302 , STN2306 , STN2342 .

History: GSM3466 | SSF11NS65 | H6968CTS | QM3303S | AM7331PE | EMB12P03G | IPB015N04LG

 

 
Back to Top

 


 
.