STN1810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN1810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STN1810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN1810 даташит

 ..1. Size:883K  stansontech
 stn1810.pdf pdf_icon

STN1810

STN1810 N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A DESCRIPTION STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These applications such as notebook computer power

 9.1. Size:310K  stansontech
 stn18d20.pdf pdf_icon

STN1810

STN18D20 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION STN18D20 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management

Другие IGBT... AM9569D, AM9926, AM9926N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, STN1304, IRFB31N20D, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300, STN2300A, STN2302, STN2306, STN2342