STN3P6F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STN3P6F6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 6.4 nC
Tiempo de subida (tr): 5.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
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STN3P6F6 Datasheet (PDF)
stn3p6f6.pdf
STN3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID4STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A RDS(on) * Qg industry benchmark32 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSOT-223 Low gate drive power lossesApplications Swit
stn3pf06.pdf
STN3PF06P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax2STN3PF06 60 V
stn3pf06.pdf
STN3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet
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