Справочник MOSFET. STN3P6F6

 

STN3P6F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN3P6F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для STN3P6F6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN3P6F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1093K  st
 stn3p6f6.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID4STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A RDS(on) * Qg industry benchmark32 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSOT-223 Low gate drive power lossesApplications Swit

 9.1. Size:255K  st
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3PF06P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax2STN3PF06 60 V

 9.2. Size:778K  cn vbsemi
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

Другие MOSFET... STN2NE10L , STN3400 , STN3400A , STN3404 , STN3406 , STN3414 , STN3446 , STN3456 , IRFP064N , STN4102 , STN410D , STN4110 , STN4130 , STN4186D , STN4189D , STN4346 , STN4392 .

History: STD4NK50ZD | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | IXTQ44P15T | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.