STN3P6F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN3P6F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для STN3P6F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN3P6F6 даташит

 ..1. Size:1093K  st
 stn3p6f6.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3P6F6 P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on)max ID 4 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness SOT-223 Low gate drive power losses Applications Swit

 9.1. Size:255K  st
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3PF06 P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 2 STN3PF06 60 V

 9.2. Size:778K  cn vbsemi
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3P6F6

STN3PF06 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.055 at VGS = - 10 V - 7.0 APPLICATIONS - 60 30 nC 0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load Switch S SOT-223 G D S D G D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Paramet

Другие IGBT... STN2NE10L, STN3400, STN3400A, STN3404, STN3406, STN3414, STN3446, STN3456, AO4468, STN4102, STN410D, STN4110, STN4130, STN4186D, STN4189D, STN4346, STN4392