STN4392 Todos los transistores

 

STN4392 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN4392
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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STN4392 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  stansontech
 stn4392.pdf pdf_icon

STN4392

STN4392STN4392STN4392STN4392N Channel Enhancement Mode MOSFET13ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistorwhich is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticularly suited f

 9.1. Size:344K  stansontech
 stn4346.pdf pdf_icon

STN4392

STN4346STN4346STN4346STN4346N Channel Enhancement Mode MOSFET6.8ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistorwhich is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticularly suited

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History: 2N7222U | BRCS065N08SHBD | BRCS26N50PH | PSMN9R0-30LL | AM1523CE | AP4543GEH-HF | JCS7N95CA

 

 
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