STN4392 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN4392

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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STN4392 datasheet

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STN4392

STN4392 STN4392 STN4392 STN4392 N Channel Enhancement Mode MOSFET 13A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited f

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STN4392

STN4346 STN4346 STN4346 STN4346 N Channel Enhancement Mode MOSFET 6.8A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited

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