STN4392. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN4392

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STN4392

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4392 даташит

 ..1. Size:374K  stansontech
 stn4392.pdf pdf_icon

STN4392

STN4392 STN4392 STN4392 STN4392 N Channel Enhancement Mode MOSFET 13A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited f

 9.1. Size:344K  stansontech
 stn4346.pdf pdf_icon

STN4392

STN4346 STN4346 STN4346 STN4346 N Channel Enhancement Mode MOSFET 6.8A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited

Другие IGBT... STN3P6F6, STN4102, STN410D, STN4110, STN4130, STN4186D, STN4189D, STN4346, IRF540, STN4402, STN4412, STN4416, STN4426, STN442D, STN4438, STN4440, STN4480