STN6562 Todos los transistores

 

STN6562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN6562
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de STN6562 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STN6562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  stansontech
 stn6562.pdf pdf_icon

STN6562

STN6562 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 4.0ADESCRIPTION The STN6562 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as cellular phon

Otros transistores... STN4842 , STN484D , STN4850 , STN4920 , STN4946 , STN4972 , STN5PF02V , STN6303 , 12N60 , STN7400 , STN80T08 , STN8822 , STN8822A , STN8882D , STP100N10F7 , STP100N8F6 , STP1013 .

History: AUIRFS3004-7P | PN4117 | NP84N055CHE

 

 
Back to Top

 


 
.