STN6562 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN6562

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

 Búsqueda de reemplazo de STN6562 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STN6562 datasheet

 ..1. Size:771K  stansontech
 stn6562.pdf pdf_icon

STN6562

STN6562 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 4.0A DESCRIPTION The STN6562 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as cellular phon

Otros transistores... STN4842, STN484D, STN4850, STN4920, STN4946, STN4972, STN5PF02V, STN6303, STP75NF75, STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013