Справочник MOSFET. STN6562

 

STN6562 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN6562
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для STN6562

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN6562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  stansontech
 stn6562.pdf pdf_icon

STN6562

STN6562 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 4.0ADESCRIPTION The STN6562 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as cellular phon

Другие MOSFET... STN4842 , STN484D , STN4850 , STN4920 , STN4946 , STN4972 , STN5PF02V , STN6303 , 12N60 , STN7400 , STN80T08 , STN8822 , STN8822A , STN8882D , STP100N10F7 , STP100N8F6 , STP1013 .

History: PN4117 | NP84N055CHE

 

 
Back to Top

 


 
.