STN6562. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN6562

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для STN6562

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN6562 даташит

 ..1. Size:771K  stansontech
 stn6562.pdf pdf_icon

STN6562

STN6562 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 4.0A DESCRIPTION The STN6562 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as cellular phon

Другие IGBT... STN4842, STN484D, STN4850, STN4920, STN4946, STN4972, STN5PF02V, STN6303, STP75NF75, STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013