STN80T08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN80T08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-220-3L

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STN80T08 datasheet

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STN80T08

STN80T08 N Channel Enhancement Mode MOSFET 80.0A DESCRIPTION STN80T08 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 80V/40.0A, RDS(ON) = 8m (Typ.) @VGS = 10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on

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