STN80T08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN80T08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220-3L

Аналог (замена) для STN80T08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN80T08 даташит

 ..1. Size:932K  stansontech
 stn80t08.pdf pdf_icon

STN80T08

STN80T08 N Channel Enhancement Mode MOSFET 80.0A DESCRIPTION STN80T08 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 80V/40.0A, RDS(ON) = 8m (Typ.) @VGS = 10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on

Другие IGBT... STN4850, STN4920, STN4946, STN4972, STN5PF02V, STN6303, STN6562, STN7400, IRF9540N, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5