Справочник MOSFET. STN80T08

 

STN80T08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN80T08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STN80T08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  stansontech
 stn80t08.pdf pdf_icon

STN80T08

STN80T08 N Channel Enhancement Mode MOSFET 80.0A DESCRIPTION STN80T08 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 80V/40.0A, RDS(ON) = 8m (Typ.) @VGS = 10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STK20N75F3 | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | VBA5311 | SSM6J401TU | NP82N055EHE | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.