STP140N8F7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP140N8F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP140N8F7 datasheet

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STP140N8F7

STP140N8F7 N-channel 80 V, 3.5 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP140N8F7 80 V 4.3 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applications

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STP140N8F7

STP140NF75 STB140NF75 - STB140NF75-1 N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB140NF75 75V

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STP140N8F7

STB140NF55 - STB140NF55-1 STP140NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB140NF55 55V

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STP140N8F7

STP140N6F7 N-channel 60 V, 0.0031 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP140N6F7 60 V 0.0035 80 A 158 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications

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