STP1N105K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP1N105K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1050 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP1N105K3 datasheet

 ..1. Size:668K  st
 stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf pdf_icon

STP1N105K3

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3 N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 1 1 1 max 3 2 3 STF1N105K3 1 2 20 W 1 STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FP TO-3PF STP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe

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