STP1N105K3 Todos los transistores

 

STP1N105K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP1N105K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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STP1N105K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  st
 stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf pdf_icon

STP1N105K3

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on)Order codes VDS ID PTOT 111max32 3STF1N105K31220 W1STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FPTO-3PFSTP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe

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History: BUZ14 | KMB054N40DC | FDBL9403F085 | WMQ090N04LG2 | SSF5N60G | NTMTS0D7N06C | STH180N10F3-6

 

 
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