Справочник MOSFET. STP1N105K3

 

STP1N105K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP1N105K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP1N105K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP1N105K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  st
stfw1n105k3 stp1n105k3.pdfpdf_icon

STP1N105K3

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on)Order codes VDS ID PTOT 111max32 3STF1N105K31220 W1STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FPTO-3PFSTP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe

Другие MOSFET... STP18N65M2 , STP18N65M5 , STP18NM60ND , STP190NF04 , STP19N05L , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , IRF540 , STP20N20 , STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP , STP20NM50FP , STP20NM60A , STP21NM50N , STP21NM60N .

History: FCP125N65S3R0 | HSP3105 | SFB083N80CC2 | HRLF55N03K | NVBLS1D1N08H | IRF7456PBF-1 | STF5N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.