STP1N105K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP1N105K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1050 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP1N105K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP1N105K3 даташит

 ..1. Size:668K  st
 stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf pdf_icon

STP1N105K3

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3 N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 1 1 1 max 3 2 3 STF1N105K3 1 2 20 W 1 STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FP TO-3PF STP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe

Другие IGBT... STP18N65M2, STP18N65M5, STP18NM60ND, STP190NF04, STP19N05L, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, IRF540N, STP20N20, STP20N65M5, STP20NE06L, STP20NE06LFP, STP20NM50FP, STP20NM60A, STP21NM50N, STP21NM60N