STP1N105K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP1N105K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP1N105K3
STP1N105K3 Datasheet (PDF)
stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on)Order codes VDS ID PTOT 111max32 3STF1N105K31220 W1STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FPTO-3PFSTP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe
Другие MOSFET... STP18N65M2 , STP18N65M5 , STP18NM60ND , STP190NF04 , STP19N05L , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , IRF540 , STP20N20 , STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP , STP20NM50FP , STP20NM60A , STP21NM50N , STP21NM60N .
History: AO4617 | CS3N90FA9H | 2SK4114 | AM10P10-530I | HTMN5130SSD | SFB082N80DC2 | IRF9358
History: AO4617 | CS3N90FA9H | 2SK4114 | AM10P10-530I | HTMN5130SSD | SFB082N80DC2 | IRF9358



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904