STP1N105K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP1N105K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP1N105K3
STP1N105K3 Datasheet (PDF)
stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on)Order codes VDS ID PTOT 111max32 3STF1N105K31220 W1STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FPTO-3PFSTP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe
Другие MOSFET... STP18N65M2 , STP18N65M5 , STP18NM60ND , STP190NF04 , STP19N05L , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , IRF540 , STP20N20 , STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP , STP20NM50FP , STP20NM60A , STP21NM50N , STP21NM60N .
History: FCP125N65S3R0 | HSP3105 | SFB083N80CC2 | HRLF55N03K | NVBLS1D1N08H | IRF7456PBF-1 | STF5N80K5
History: FCP125N65S3R0 | HSP3105 | SFB083N80CC2 | HRLF55N03K | NVBLS1D1N08H | IRF7456PBF-1 | STF5N80K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904