STP20NE06L Todos los transistores

 

STP20NE06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP20NE06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP20NE06L Datasheet (PDF)

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STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

 ..2. Size:107K  st
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STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

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STP20NE06L

STP20NE06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D

 0.1. Size:53K  st
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STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.07 - 20 A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP20NE06L 60 V

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History: FK4B0110 | HUF75623P3 | NDS355AN | AON3806 | SSG4394N | STH12N60 | STS4DPF30L

 

 
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