Справочник MOSFET. STP20NE06L

 

STP20NE06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP20NE06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP20NE06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20NE06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  st
stp20ne06l.pdfpdf_icon

STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

 ..2. Size:107K  st
stp20ne06l stp20ne06lfp.pdfpdf_icon

STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

 ..3. Size:1041K  cn vbsemi
stp20ne06l.pdfpdf_icon

STP20NE06L

STP20NE06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D

 0.1. Size:53K  st
stp20ne06l-.pdfpdf_icon

STP20NE06L

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.07 - 20 A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP20NE06L 60 V

Другие MOSFET... STP190NF04 , STP19N05L , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , STP1N105K3 , STP20N20 , STP20N65M5 , IRF640 , STP20NE06LFP , STP20NM50FP , STP20NM60A , STP21NM50N , STP21NM60N , STP2301 , STP2305 , STP23NM60N .

History: DMN2004VK | FKI07076 | IPP80N06S2-05 | IRF150SMD

 

 
Back to Top

 


 
.