STP36N55M5 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP36N55M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP36N55M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP36N55M5 datasheet

..1. Size:759K st
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STP36N55M5 STW36N55M5 N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max TAB STP36N55M5 600 V

8.1. Size:444K st
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STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

8.2. Size:396K st
stp36n05l.pdf pdf_icon

STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V

8.3. Size:414K st
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STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V

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