STP36N55M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP36N55M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP36N55M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP36N55M5 даташит

 ..1. Size:759K  st
 stp36n55m5 stw36n55m5.pdf pdf_icon

STP36N55M5

STP36N55M5 STW36N55M5 N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max TAB STP36N55M5 600 V

 8.1. Size:444K  st
 stp36nf06l stb36nf06l.pdf pdf_icon

STP36N55M5

STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

 8.2. Size:396K  st
 stp36n05l.pdf pdf_icon

STP36N55M5

STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V

 8.3. Size:414K  st
 stp36n06.pdf pdf_icon

STP36N55M5

STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP33N65M2, STP3401, STP3401A, STP3407, STP3467, STP3481, STP34N65M5, STP360N4F6, IRF830, STP36NE06, STP36NE06FP, STP36NF06FP, STP38N65M5, STP3HNK90Z, STP3N80K5, STP3NA50, STP3NB100