STP413D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP413D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP413D

STP413D Datasheet (PDF)

..1. Size:674K stansontech
stp413d.pdf

STP413D P Channel Enhancement Mode MOSFET -12.0A DESCRIPTION STP413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP413D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been o

..2. Size:890K cn vbsemi
stp413d.pdf

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Liste

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