STP413D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP413D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для STP413D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP413D даташит

 ..1. Size:674K  stansontech
 stp413d.pdf pdf_icon

STP413D

STP413D P Channel Enhancement Mode MOSFET -12.0A DESCRIPTION STP413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP413D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been o

 ..2. Size:890K  cn vbsemi
 stp413d.pdf pdf_icon

STP413D

STP413D www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие IGBT... STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, STP40N20, STP40N60M2, STP40N65M2, STP40NS15, IRF840, STP4403, STP4407, STP4407A, STP4435, STP4435A, STP45N10F7, STP45N65M5, STP45NE06