STP4803 Todos los transistores

 

STP4803 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4803
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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STP4803 Datasheet (PDF)

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STP4803

STP4803STP4803STP4803STP4803Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-5.2ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP4803 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistorwhich is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticula

Otros transistores... STP4407A , STP4435 , STP4435A , STP45N10F7 , STP45N65M5 , STP45NE06 , STP45NE06FP , STP46NF30 , IRF630 , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , STP4NA90FI , STP4NB100 .

History: FMW60N190S2HF | 2SK3604-01S | IPA030N10N3 | DMN3010LSS | HFB1N70S | AP60WN1K2H

 

 
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