STP4803. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4803

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STP4803

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4803 даташит

 ..1. Size:688K  stansontech
 stp4803.pdf pdf_icon

STP4803

STP4803 STP4803 STP4803 STP4803 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.2A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STP4803 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particula

Другие IGBT... STP4407A, STP4435, STP4435A, STP45N10F7, STP45N65M5, STP45NE06, STP45NE06FP, STP46NF30, IRF640N, STP4925, STP4931, STP4953, STP4953A, STP4N80K5, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100