STP4803 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STP4803
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для STP4803
STP4803 Datasheet (PDF)
stp4803.pdf

STP4803STP4803STP4803STP4803Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-5.2ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP4803 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistorwhich is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticula
Другие MOSFET... STP4407A , STP4435 , STP4435A , STP45N10F7 , STP45N65M5 , STP45NE06 , STP45NE06FP , STP46NF30 , IRFP260N , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , STP4NA90FI , STP4NB100 .
History: AM40N10-30D | BUK9M9R1-40E | MPVD4N70F | NP60N055VUK | IPP12CN10NG | CMPDM7120G | IPP120N06NG
History: AM40N10-30D | BUK9M9R1-40E | MPVD4N70F | NP60N055VUK | IPP12CN10NG | CMPDM7120G | IPP120N06NG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet