STP4NA90 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP4NA90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NA90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP4NA90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:239K st
stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

8.1. Size:383K st
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STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

8.2. Size:96K st
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STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NA60FP 600 V

8.3. Size:391K st
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STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V