STP4NA90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP4NA90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP4NA90
STP4NA90 Datasheet (PDF)
stp4na80.pdf

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
stp4na60fp.pdf

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V
stp4na80-fi.pdf

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
Другие MOSFET... STP45NE06FP , STP46NF30 , STP4803 , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , IRFB4110 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L .
History: MTH5N95 | WVM12N10 | SI7114ADN | HYG032N03LR1C1 | IPG20N04S4-08 | SMG2326N | ME3587
History: MTH5N95 | WVM12N10 | SI7114ADN | HYG032N03LR1C1 | IPG20N04S4-08 | SMG2326N | ME3587



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438