STP4NA90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP4NA90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
STP4NA90 Datasheet (PDF)
stp4na80.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
stp4na60fp.pdf
STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V
stp4na80-fi.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
Другие MOSFET... STP45NE06FP , STP46NF30 , STP4803 , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , IRFB4110 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L .
History: RUM002N05T2L | ST1005SRG | NCE65T680D | HGA025N06S
History: RUM002N05T2L | ST1005SRG | NCE65T680D | HGA025N06S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438