Справочник MOSFET. STP4NA90

 

STP4NA90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NA90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP4NA90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA90

 8.1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA90

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 8.2. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA90

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

 8.3. Size:391K  st
 stp4na80-fi.pdf pdf_icon

STP4NA90

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP45NE06FP , STP46NF30 , STP4803 , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , IRFB4110 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L .

History: ME2306N-G | IPP200N15N3G

 

 
Back to Top

 


 
.