STP4NB100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NB100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP4NB100 datasheet

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STP4NB100

STP4NB100 STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NB100 1000 V

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STP4NB100

STP4NB100 STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NB100 1000 V

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STP4NB100

STP4NB80 STP4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NB80 800 V 3.3 4 A STP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage

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STP4NB100

STP4NB80 STP4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NB80 800 V 3.3 4 A STP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage MESH OVERLAY p

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