Справочник MOSFET. STP4NB100

 

STP4NB100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP4NB100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP4NB100

 

 

STP4NB100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  st
stp4nb100.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB100STP4NB100FPN - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NB100 1000 V

 0.1. Size:53K  st
stp4nb100-.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB100STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB100 1000 V

 8.1. Size:82K  st
stp4nb80-.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage

 8.2. Size:246K  st
stp4nb80.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage MESH OVERLAYp

 8.3. Size:176K  st
stp4nb50 stp4nb50fp.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

 8.4. Size:331K  st
stp4nb30.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB30STP4NB30FPN-CHANNEL 300V - 1.8 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB30 300 V

 8.5. Size:129K  st
stp4nb50.pdf

STP4NB100
STP4NB100

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top