STP50NE08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP50NE08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP50NE08 MOSFET
STP50NE08 Datasheet (PDF)
stp50ne08.pdf

STP50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE08 80 V
stp50ne10l.pdf

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V
stp50ne10.pdf

STP50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100V
stp50ne10--.pdf

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100 V
Otros transistores... STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP75NF75 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , STP57N65M5 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 , STP5N95K5 .
History: BLS65R380-A | IXTH15N70
History: BLS65R380-A | IXTH15N70



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