STP50NE08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP50NE08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP50NE08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50NE08 даташит

 ..1. Size:201K  st
 stp50ne08.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE08 80 V

 7.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10L N - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10L 100 V

 7.2. Size:256K  st
 stp50ne10.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10 N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP50NE10 100V

 7.3. Size:86K  st
 stp50ne10--.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP4953A, STP4N80K5, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, STP4NM60, IRFP250N, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, STP57N65M5, STP5N105K5, STP5N120, STP5N60M2, STP5N95K5