Справочник MOSFET. STP50NE08

 

STP50NE08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP50NE08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP50NE08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50NE08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  st
 stp50ne08.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE08 80 V

 7.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V

 7.2. Size:256K  st
 stp50ne10.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100V

 7.3. Size:86K  st
 stp50ne10--.pdf pdf_icon

STP50NE08

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , AON7408 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , STP57N65M5 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 , STP5N95K5 .

 

 
Back to Top

 


 
.