STP57N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP57N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP57N65M5 datasheet

 ..1. Size:1358K  st
 stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf pdf_icon

STP57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in I PAK, TO-220, TO-220FP and D PAK packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 1 3 STB57N65M5 2 1 D PAK STF57N65M5 710 V

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