STP57N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP57N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP57N65M5 MOSFET
STP57N65M5 Datasheet (PDF)
stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V
Otros transistores... STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , IRFP260 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 , STP5N95K5 , STP5NB40 , STP5NB40FP , STP5NB60 , STP5NK40Z .
History: SVG104R5NKL | STZ150NF55T | PP1C06AKB | SI7469DP | PJU4NA60 | AP65SL130DP | SVG105R4NKL
History: SVG104R5NKL | STZ150NF55T | PP1C06AKB | SI7469DP | PJU4NA60 | AP65SL130DP | SVG105R4NKL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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