STP57N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP57N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP57N65M5
STP57N65M5 Datasheet (PDF)
stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V
Другие MOSFET... STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , IRFP260 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 , STP5N95K5 , STP5NB40 , STP5NB40FP , STP5NB60 , STP5NK40Z .
History: JCS1404C | JCS12N60ST | FQAF34N25 | STB12NK80Z | FHD80N07A | NTB5426NT4G | IRFH8334PBF-1
History: JCS1404C | JCS12N60ST | FQAF34N25 | STB12NK80Z | FHD80N07A | NTB5426NT4G | IRFH8334PBF-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent