Справочник MOSFET. STP57N65M5

 

STP57N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP57N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP57N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1358K  st
 stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf pdf_icon

STP57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V

Другие MOSFET... STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , IRFP260 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 , STP5N95K5 , STP5NB40 , STP5NB40FP , STP5NB60 , STP5NK40Z .

History: IXFC14N80P | ME35N10 | SI1035X

 

 
Back to Top

 


 
.