STP57N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP57N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP57N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP57N65M5 даташит

 ..1. Size:1358K  st
 stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf pdf_icon

STP57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in I PAK, TO-220, TO-220FP and D PAK packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 1 3 STB57N65M5 2 1 D PAK STF57N65M5 710 V

Другие IGBT... STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, STP4NM60, STP50NE08, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, 2SK3878, STP5N105K5, STP5N120, STP5N60M2, STP5N95K5, STP5NB40, STP5NB40FP, STP5NB60, STP5NK40Z