IXFJ13N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFJ13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO268
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IXFJ13N50 datasheet
ixfj13n50.pdf
HiPerFETTM IXFJ 13N50 VDSS = 500 V Power MOSFETs ID (cont) = 13 A RDS(on) = 0.4 W N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V D VGS Continuous 20 V S (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, S = So
Otros transistores... IXFH76N07-11 , IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IRF640N , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 .
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