IXFJ13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFJ13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFJ13N50

IXFJ13N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:66K ixys
ixfj13n50.pdf

HiPerFETTM IXFJ 13N50 VDSS = 500 VPower MOSFETs ID (cont) = 13 ARDS(on) = 0.4 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VDVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 A G = Gate, D = Drain,S = So

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Liste

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