Справочник MOSFET. IXFJ13N50

 

IXFJ13N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFJ13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFJ13N50

 

 

IXFJ13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ixys
 ixfj13n50.pdf

IXFJ13N50 IXFJ13N50

HiPerFETTM IXFJ 13N50 VDSS = 500 VPower MOSFETs ID (cont) = 13 ARDS(on) = 0.4 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VDVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 A G = Gate, D = Drain,S = So

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top