STP60N06-14 Todos los transistores

 

STP60N06-14 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP60N06-14
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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STP60N06-14 Datasheet (PDF)

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STP60N06-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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STP60N06-14

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60N06-14FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to driveHigh current capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 4.1. Size:354K  st
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STP60N06-14

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

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STP60N06-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

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History: TPU60R840C | SQD50N30-4M0L | PM555BZ

 

 
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