STP60N06-14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP60N06-14

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP60N06-14

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP60N06-14 даташит

 ..1. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

STP60N06-14

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
 stp60n06-14.pdf pdf_icon

STP60N06-14

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP60N06-14 FEATURES With low gate drive requirements Easy to drive High current capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Solenold and relay dirvers DC-DC converters Automotive environment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 4.1. Size:354K  st
 stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

STP60N06-14

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 6.1. Size:77K  st
 stp60n05 stp60n06.pdf pdf_icon

STP60N06-14

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP5NK40Z, STP5NK40ZFP, STP5NK50ZFP, STP5NK80ZFP, STP5NK90Z, STP601D, STP607D, STP60N05-14, 5N65, STP60NE06-16, STP60NE06-16FP, STP60NE06L-16, STP60NE06L-16FP, STP60NF06LFP, STP60NH2LL, STP6308, STP6506