Справочник MOSFET. STP60N06-14

 

STP60N06-14 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP60N06-14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP60N06-14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  st
stp60n05-14 stp60n06-14.pdfpdf_icon

STP60N06-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
stp60n06-14.pdfpdf_icon

STP60N06-14

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60N06-14FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to driveHigh current capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 4.1. Size:354K  st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdfpdf_icon

STP60N06-14

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 6.1. Size:77K  st
stp60n05 stp60n06.pdfpdf_icon

STP60N06-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS2672 | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.