IXFJ32N50Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFJ32N50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO268
Búsqueda de reemplazo de IXFJ32N50Q MOSFET
IXFJ32N50Q Datasheet (PDF)
..1. Size:89K ixys
ixfj32n50q.pdf
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VDSS = 500 VIXFJ 32N50QHiPerFETTMID(cont) = 32 APower MOSFETsRDS(on) = 0.15 WQ-Classtrr
Otros transistores... IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , 10N60 , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 .
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