IXFJ32N50Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFJ32N50Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 153 nC
Время нарастания (tr): 42 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFJ32N50Q
IXFJ32N50Q Datasheet (PDF)
..1. Size:89K ixys
ixfj32n50q.pdf
ixfj32n50q.pdf
VDSS = 500 VIXFJ 32N50QHiPerFETTMID(cont) = 32 APower MOSFETsRDS(on) = 0.15 WQ-Classtrr
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
