IXFJ32N50Q - описание и поиск аналогов

 

IXFJ32N50Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFJ32N50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXFJ32N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFJ32N50Q даташит

 ..1. Size:89K  ixys
 ixfj32n50q.pdf pdf_icon

IXFJ32N50Q

VDSS = 500 V IXFJ 32N50Q HiPerFETTM ID(cont) = 32 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.15 W Q-Class trr

Другие MOSFET... IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IRFP260N , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.