Справочник MOSFET. IXFJ32N50Q

 

IXFJ32N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFJ32N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 153 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXFJ32N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFJ32N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  ixys
 ixfj32n50q.pdf pdf_icon

IXFJ32N50Q

VDSS = 500 VIXFJ 32N50QHiPerFETTMID(cont) = 32 APower MOSFETsRDS(on) = 0.15 WQ-Classtrr

Другие MOSFET... IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , 10N60 , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 .

History: AP9T16GH

 

 
Back to Top

 


 
.