STP6308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP6308
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP6308

STP6308 Datasheet (PDF)

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stp6308.pdf

STP6308STP6308STP6308STP6308Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-1.0ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor whichis produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingper

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Liste

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