STP6308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6308
Código: 08YW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de STP6308 MOSFET
STP6308 Datasheet (PDF)
stp6308.pdf

STP6308STP6308STP6308STP6308Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-1.0ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor whichis produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingper
Otros transistores... STP60N05-14 , STP60N06-14 , STP60NE06-16 , STP60NE06-16FP , STP60NE06L-16 , STP60NE06L-16FP , STP60NF06LFP , STP60NH2LL , IRFP250 , STP6506 , STP6621 , STP6623 , STP6635GH , STP6N60M2 , STP6N65M2 , STP6N80K5 , STP6NB90 .
History: FQPF5N50CYDTU | HGN093N12S | BRD7N65S
History: FQPF5N50CYDTU | HGN093N12S | BRD7N65S



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