Справочник MOSFET. STP6308

 

STP6308 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP6308
   Маркировка: 08YW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для STP6308

 

 

STP6308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  stansontech
 stp6308.pdf

STP6308 STP6308

STP6308STP6308STP6308STP6308Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-1.0ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor whichis produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingper

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQA27N25

 

 
Back to Top