STP6308 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP6308 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP6308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для STP6308

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  stansontech
 stp6308.pdf pdf_icon

STP6308

STP6308STP6308STP6308STP6308Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET-1.0ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor whichis produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingper

Другие MOSFET... STP60N05-14 , STP60N06-14 , STP60NE06-16 , STP60NE06-16FP , STP60NE06L-16 , STP60NE06L-16FP , STP60NF06LFP , STP60NH2LL , AON7506 , STP6506 , STP6621 , STP6623 , STP6635GH , STP6N60M2 , STP6N65M2 , STP6N80K5 , STP6NB90 .

History: SWF8N65D | FDMC86570LET60 | AM35N03-59D | IRFIZ48N | STP8NM60D | HFU1N60SA

 

 
Back to Top

 


 
.