STP6308. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP6308

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для STP6308

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6308 даташит

 ..1. Size:412K  stansontech
 stp6308.pdf pdf_icon

STP6308

STP6308 STP6308 STP6308 STP6308 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -1.0A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching per

Другие IGBT... STP60N05-14, STP60N06-14, STP60NE06-16, STP60NE06-16FP, STP60NE06L-16, STP60NE06L-16FP, STP60NF06LFP, STP60NH2LL, AON7506, STP6506, STP6621, STP6623, STP6635GH, STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, STP6NB90