IXFJ40N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFJ40N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO268
Búsqueda de reemplazo de IXFJ40N30 MOSFET
IXFJ40N30 Datasheet (PDF)
ixfj40n30.pdf
HiPerFETTMIXFJ 40N30 VDSS = 300 VPower MOSFETs ID25 = 40 ARDS(on)= 80 mWtrr
Otros transistores... IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IRF3710 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 .
History: FDD6637 | PX5D8JZ-T | IRFPS40N60K | 24N50C | IPI80P04P4L-04 | 2SK2648-01 | D7N60
History: FDD6637 | PX5D8JZ-T | IRFPS40N60K | 24N50C | IPI80P04P4L-04 | 2SK2648-01 | D7N60
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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