IXFJ40N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFJ40N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 177 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 745 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO268
IXFJ40N30 Datasheet (PDF)
..1. Size:33K ixys
ixfj40n30.pdf
ixfj40n30.pdf
HiPerFETTMIXFJ 40N30 VDSS = 300 VPower MOSFETs ID25 = 40 ARDS(on)= 80 mWtrr
Другие MOSFET... IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IRFP260N , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 .
