IXFJ40N30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IXFJ40N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFJ40N30
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFJ40N30 даташит
ixfj40n30.pdf
HiPerFETTM IXFJ 40N30 VDSS = 300 V Power MOSFETs ID25 = 40 A RDS(on)= 80 mW trr
Другие MOSFET... IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , AO3400 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090