Справочник MOSFET. IXFJ40N30

 

IXFJ40N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFJ40N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXFJ40N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFJ40N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  ixys
 ixfj40n30.pdf pdf_icon

IXFJ40N30

HiPerFETTMIXFJ 40N30 VDSS = 300 VPower MOSFETs ID25 = 40 ARDS(on)= 80 mWtrr

Другие MOSFET... IXFH7N80 , IXFH7N90 , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IRF3710 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 .

History: IRFP243

 

 
Back to Top

 


 
.