STP6NB90 Todos los transistores

 

STP6NB90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP6NB90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP6NB90

 

STP6NB90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  st
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STP6NB90
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STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V

 ..2. Size:333K  st
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STP6NB90
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STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V

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STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V

 8.1. Size:365K  st
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STP6NB80STP6NB80FPN-CHANNEL 800V - 1.6 - 5.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB80 800 V

 8.2. Size:322K  st
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STP6NB90
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STP6NB25STP6NB25FPN-CHANNEL 250V - 0.9 - 5A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB25 250 V

 8.3. Size:326K  st
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STP6NB50STP6NB50FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB50 500 V

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