STP6NB90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6NB90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO-220
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STP6NB90 datasheet
stp6nb90.pdf
STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V
stp6nb90 fp.pdf
STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V
stp6nb90-fp.pdf
STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V
stp6nb80.pdf
STP6NB80 STP6NB80FP N-CHANNEL 800V - 1.6 - 5.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB80 800 V
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History: FIR9N65LG | MTD120C10KJ4
🌐 : EN ES РУ
Liste
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