STP6NB90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP6NB90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP6NB90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6NB90 даташит

 ..1. Size:220K  st
 stp6nb90.pdf pdf_icon

STP6NB90

STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V

 ..2. Size:333K  st
 stp6nb90 fp.pdf pdf_icon

STP6NB90

STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V

 0.1. Size:340K  st
 stp6nb90-fp.pdf pdf_icon

STP6NB90

STP6NB90 STP6NB90FP N - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB90 900 V

 8.1. Size:365K  st
 stp6nb80.pdf pdf_icon

STP6NB90

STP6NB80 STP6NB80FP N-CHANNEL 800V - 1.6 - 5.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NB80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP6308, STP6506, STP6621, STP6623, STP6635GH, STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, IRF1407, STP6NC60, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, STP7401, STP7407