STP6NB90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP6NB90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
STP6NB90 Datasheet (PDF)
stp6nb90.pdf
STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb90 fp.pdf
STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb90-fp.pdf
STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb80.pdf
STP6NB80STP6NB80FPN-CHANNEL 800V - 1.6 - 5.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB80 800 V
stp6nb25.pdf
STP6NB25STP6NB25FPN-CHANNEL 250V - 0.9 - 5A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB25 250 V
stp6nb50.pdf
STP6NB50STP6NB50FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB50 500 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
