STP6NB90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP6NB90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP6NB90 Datasheet (PDF)
stp6nb90.pdf

STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb90 fp.pdf

STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb90-fp.pdf

STP6NB90STP6NB90FPN - CHANNEL 900V - 1.7 - 5.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB90 900 V
stp6nb80.pdf

STP6NB80STP6NB80FPN-CHANNEL 800V - 1.6 - 5.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NB80 800 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WMQ098N03LG2 | FS16SM-10 | BRCS100N06BD | 4N65G-E-K08-5060-R | SUD19P06-60L | TPC65R260M | 2SK417
History: WMQ098N03LG2 | FS16SM-10 | BRCS100N06BD | 4N65G-E-K08-5060-R | SUD19P06-60L | TPC65R260M | 2SK417



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet